RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3537
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link