RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
31
Около 13% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3545
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUW0C 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link