RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
91
Около 70% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
4.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
91
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
6.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
4.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1214
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link