RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
39
Около 31% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.5
16.7
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
39
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB Сравнения RAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRS 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S816KRGB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link