RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2429
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link