RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3208
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMD64GX4M8B2800C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link