RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.3
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3208
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C20 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link