RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Kingston 9905711-015.A00G 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около 34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
41
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2134
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link