RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3181
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link