RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2902
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Team Group Inc. Xtreem-Dark-1066C6 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link