RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3242
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link