RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около 39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
44
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
10.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2374
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9965426-088.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link