RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
37
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
9.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
37
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
9.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2082
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link