RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около 45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
49
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2534
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link