RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.7
14.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
27
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2173
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVG 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link