RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3020
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
INTENSO 5641162 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3466C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link