RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.4
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2908
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link