RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2474
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZRA 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link