RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
36
Около 25% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
36
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1778
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link