RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 54
    Около 50% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.7 left arrow 10.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    11.8 left arrow 8.2
    Среднее значение в тестах
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше пропускная способность
    23400 left arrow 21300
    Около 1.1 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    27 left arrow 54
  • Скорость чтения, Гб/сек
    16.7 left arrow 10.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.8 left arrow 8.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 23400
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2756 left arrow 2259

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM

Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Сравнения RAM

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
модули RAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
модули RAM
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9905471-077.A00LF 8GB
Kingston 9905471-077.A00LF 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
модули RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
модули RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
модули RAM
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
модули RAM
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
модули RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
модули RAM