RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
54
Около 50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
14.3
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
54
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2938
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CM4X8GF2133C15S2 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link