RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2913
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link