RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
33
Около 18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2687
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB Сравнения RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPW.40C0B 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link