RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2488
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link