RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
77
Около 65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
77
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1549
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB Сравнения RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link