RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
81
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
8.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
5.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
81
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
8.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
5.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1651
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston KHX1600C10D3/8G 8GB
Kllisre 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Samsung M393B1G70QH0-CMA 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link