RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
13.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2394
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1600C11 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link