RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
38
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
15.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
38
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
2283
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FR 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link