RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1897
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link