RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
16.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1897
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link