RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
27
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
19
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3220
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.M8FADM 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link