RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
27
Около -17% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3317
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link