RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
66
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
14.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
1699
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link