RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
28
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
16.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
28
Скорость чтения, Гб/сек
16.7
17.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2756
3480
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link