RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
35
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
3291
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2400C14 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link