RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Kingston 9905701-098.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
35
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
24
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.1
Скорость записи, Гб/сек
7.9
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
2976
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link