RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
35
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
7.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
32
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.9
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
3122
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link