RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
71
Около 51% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.9
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.3
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
71
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.9
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
1767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3000D464L16S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link