RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
14.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3012
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905712-008.A00G 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link