RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3090
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link