RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.9
Скорость записи, Гб/сек
5.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link