RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
34
Около -10% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.9
Скорость записи, Гб/сек
5.8
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3356
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link