RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
36
Около 6% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
36
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2800
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston KHX1600C10D3/8GXF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link