RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
34
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
5.8
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3038
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link