RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
5.8
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3779
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link