RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
34
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
30
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
18.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2947
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GS481-26N1600 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link