RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
34
Около -55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
22
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
17.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
13.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2666
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link