RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
34
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
3148
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3200C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR16D3LU1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link