RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
34
Около -21% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.2
Скорость записи, Гб/сек
5.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2487
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3866C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link