RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
9.7
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
6.8
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
27
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
9.7
Скорость записи, Гб/сек
5.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
1767
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Mushkin 991586 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
SK Hynix 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link