RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
40
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
40
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2100
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160T 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link