RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
40
Около 15% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.2
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
40
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
11.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2100
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link