RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
37
Около 8% меньшая задержка
Причины выбрать
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.5
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
37
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
13.5
Скорость записи, Гб/сек
5.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2026
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link