RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB против V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
34
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.5
5.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
34
33
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
5.8
8.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1682
2524
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7BFR4A-H9 8GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link